电弧和溅射工艺同时进行的混镀LACS®技术
同时进行电弧和溅射工艺的混镀，LACS® (LAteral ARC with Central SPUTTERING)技术结合了LARC®阴极和中心溅射SCIL®阴极的优点
混镀 LACS® (LAteral ARC with Central SPUTTERING):
- 离子密度高，结合力好
- 沉积速率高
- 通过溅射陶瓷引入“新”材料
- 光滑的涂层
- LARC® 阴极
- LARC® 阴极
- LARC® 阴极
- 屏蔽罩
- SCIL® 阴极
- 腔室门
- 腔室
- 真空泵
- ARC 电弧电流电源
- ARC 电弧电流电源
- LGD® 脉冲电源
- ARC 电弧电流电源
- BIAS 偏压电源
高离化率的等离子体由在阴极 (3) 至阳极 (2) 之间产生 LGD® 电子流生成 。
SCIL® 的溅射工艺在高离化的等离子体氛围中沉积。
两种不同类型的混镀技术可以应用于Pi411涂层设备
1. 同时运行LGD®和SCIL®涂层
侧向辉光放电诱发的溅射涂层
- 以此提高离子密度，影响溅射涂层的性能
2. 同时沉积LARC®和SCIL®
侧向旋转阴极电弧涂层工艺和由侧向辉光放电诱发的溅射涂层共同沉积
- 涂层材料的定向掺杂