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π的6个优势

低的靶材成本归因于柱状旋转阴极
• 大的有效的靶材面积; d * π * h
• 一致的靶材表面刻蚀
• 靶材最长寿命: ~200 炉次
• 低的靶材成本; ~0.07 CHF/支
可程序控制的成分配比归因于:
• 2支靶材间距最小化涂层沉积物结构:
• 纳米复合结构
• 多层和纳米多层涂层,梯度涂层
• 可以使用单质靶;
Ti, Cr, Al, Al(Si), Zr

具备VIRTUAL SHUTTER® 和TUBE SHUTTER® 技术,促成最佳的膜基结合力:
• 可旋转磁场
• 背向基体用于快速靶材清洁
• 面向基体用于沉积
• 永远呈现无杂质的Ti 或Cr 靶
高沉积率归因于:
• 高度离化的等离子体
• 高磁场强度
• 一般沉积率为 2 - 8 μm/小时

具有最小化液滴的光滑涂层表面归因于:
• VIRTUAL SHUTTER® 虚拟挡板和 TUBE SHUTTER® 柱状挡板技术
• 快速的 (双向) ARC电弧运动轨迹
• 具备灰尘过滤器的特殊加热器
高硬度的纳米复合结构涂层归于:
• 隔离两种晶相,如(nc-TiAlN)/(a-SiN)
• 2支靶材彼此非常接近

双挡板系统

涂层前靶材表面的清洁
• 关闭TUBE SHUTTER®
• 保护基体不受先前程序的灰尘污染
• 阴极ARC起弧背向基体
• 打开VIRTUAL SHUTTER®
• ARC弧光的作用如同吸附泵,充分地 提高真空度
• 沉积前清洁靶材
• 基体不会受到污染
沉积 (涂层)
• 开启TUBE SHUTTER®
• 阴极上的ARC弧光转向基体
• 关闭VIRTUAL SHUTTER®
•清洁靶材沉积光滑涂层

双重挡板的优势
• 涂层中的基底层总是沉积着清洁的靶材成分
• 任何类型的阴极都可以遮挡
• 易于操作、安装和维护遮板和陶瓷绝缘柱
• 较高的 ARC 弧电流-> 高的沉积速率(~+20-30%)

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